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[发明专利]具有基极链路区的半导体装置及其方法-CN202011513555.8在审
发明人：柳博·拉迪克;杰伊·保罗·约翰;贝恩哈德·格罗特;詹姆斯·艾伯特·基希格斯纳 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：一种半导体装置包括半导体衬底和在所述半导体衬底内形成的集电极区。包括第一基极区和第二基极区的基极区在所述集电极区上方形成。非本征基极区横向邻近于所述第二基极区形成且耦合到所述第二基极区。基极链路区安置成接近于所述第二基极区，其中所述基极链路区将所述非本征基极侧壁耦合到所述第二基极区。一种用于形成半导体装置的方法包括：在所述半导体衬底内形成所述集电极区；在所述集电极区上方形成多个电介质层；在所述集电极区上方形成非本征基极层；蚀刻发射极窗口；在所述集电极区上方形成所述第一基极区；在所述第一基极区上方形成所述第二基极区，其中形成所述第二基极区包括形成所述基极链路区。
具有基极链路区半导体装置及其方法

[发明专利]一种光电晶体及光电晶体阵列-CN201910604106.5在审
发明人：叶荣辉 -专利权人：四川美阔电子科技有限公司
申请日： 2019-07-05 - 公布日： 2019-10-08 - 主分类号： H01L31/11 文献下载
摘要：本发明提供一种光电晶体，主要包括集电极区、基极区及发射极区，其中基极区设置在集电极区内，而发射极区则设置在基极区内，并以基极区隔开发射极区及集电极区。基极区包括第一基极区及第二基极区，其中第一基极区位于发射极区的垂直投影位置，而第二基极区则设置在发射极区的周围。此外第一基极区的掺杂浓度大于第二基极区，使得光电晶体具有较高的崩溃电压、较高的频率响应、较大的增益及较高的光灵敏度。
基极区发射极区光电晶体集电极区垂直投影位置光电晶体阵列崩溃电压光灵敏度频率响应集电极隔开掺杂

[发明专利]双极结晶体管（BJT）基极导体回调-CN201510367012.2有效
发明人：徐力田;杜友伦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-06-29 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：一些实施例针对一种双极结晶体管(BJT)，BJT具有形成在半导体衬底的主体内的集电极区以及布置在半导体衬底的上表面上方的发射极区。BJT包括布置在半导体衬底的上表面上方的基极区，基极区将发射极区和集电极区垂直分隔开。基极区布置在导电基极层内并且与导电基极层接触，导电基极层将电流传递至基极区。相对于一些传统的方法，基极区包括平坦底面，平坦底面增大了基极区和半导体衬底之间的接触面积，因此减小了集电极/基极结处的电阻。基极区也可以包括基本上垂直的侧壁，基本上垂直的侧壁增大了基极区和导电基极层之间的接触面积，因此改进了至基极区的电流传递。本发明的实施例还涉及双极结晶体管(BJT)基极导体回调。
结晶体 bjt 基极导体

[发明专利]双极结型晶体管及其制造方法-CN200510099163.0有效
发明人：蔡明轩 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2005-09-09 - 公布日： 2007-03-14 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：一种双极结型晶体管元件，此元件的晶体管中的p型井区环绕在n型发射极区周围，且与发射极底部连接，用以作为一基极区。p型基极拾取区与p型基极连接，且环绕于发射极区周围。n型深井区，其与基极区底部以及n型井区的底部连接，用以作为一集电极区。n型井区环绕于基极区周围，并且与n型的深井区连接。n型集电极拾取区连接n型井区，且环绕于基极区周围。隔离结构，位于发射极区与基极区之间以及部分的基极区与部分的n型井区之间。缓冲区位于部分隔离结构下方，且与部分隔离结构共同隔离开p型基极区与n型井区。
双极结型晶体管及其制造方法

[发明专利]双极性晶体管-CN202210338017.2在审
发明人：卓升;潘贞维 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2017-05-05 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本发明公开一种双极性晶体管，其主要包含一射极区、一基极区以及一集极区，其中射极区的边缘切齐基极区的边缘。此外，基极区的边缘切齐集极区的边缘，射极区的边缘同时切齐基极区与集极区的边缘且射极区的边缘宽度等于基极区的边缘宽度。另外依据双极性晶体管的一俯视角，基极区与集极区各包含矩形。
极性晶体管

[发明专利]双极性晶体管-CN201710311951.4有效
发明人：卓升;潘贞维 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2017-05-05 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明公开一种双极性晶体管，其主要包含一射极区、一基极区以及一集极区，其中射极区的边缘切齐基极区的边缘。此外，基极区的边缘切齐集极区的边缘，射极区的边缘同时切齐基极区与集极区的边缘且射极区的边缘宽度等于基极区的边缘宽度。另外依据双极性晶体管的一俯视角，基极区与集极区各包含矩形。
极性晶体管

[其他]双极晶体管-CN86100522无效
发明人：西井雅晴;栗原一夫 -专利权人：三洋电机株式会社;东京三洋电机株式会社
申请日： 1986-03-07 - 公布日： 1986-09-10 - 主分类号： H01L29/72 文献下载
摘要：岛区16上所形成的双极晶体管的hFE值由发射极区20和第1基极区18的杂质浓度与基极宽度B所决定。因此用同一制造工艺扩散第1基极区18及发射极区20时，各晶体管的hFE值大致相等。本发明为调整晶体管的hFE值设置了第2基极区23。部分第2基极区23与发射极区20相重叠并做得比第1基极区18要深。这样，通过第2基极区23使基极宽度B′增大，可使hFE值变小。同时通过选择发射极区20与第2基极区23的重叠量使hFE的值进行变化。
双极晶体管

[其他]半导体集成电路-CN101986000000522在审
发明人：西井雅晴;栗原一夫 -专利权人：三洋电机株式会社;东京三洋电机株式会社
申请日： 1986-03-07 - 公布日： 1989-01-25 - 主分类号：文献下载
摘要：岛区１６上所形成的双极晶体管的ｈＦＥ值由发射极区２０和第１基极区１８的杂质浓度与基极宽度Ｂ所决定。因此用同一制造工艺扩散第１基极区１８及发射极区２０时，各晶体管的ｈＦＥ值大致相等。本发明为调整晶体管的ｈＦＥ值设置了第２基极区２３。部分第２基极区２３与发射极区２０相重叠并做得比第１基极区１８要深。这样，通过第２基极区２３使基极宽度Ｂ′增大，可使ｈＦＥ值变小。同时通过选择发射极区２０与第２基极区２３的重叠量使ｈＦＥ的值进行变化。
半导体集成电路

[发明专利]半导体集成电路-CN86100522.8无效
发明人：西井雅晴;栗原一夫 -专利权人：三洋电机株式会社;东京三洋电机株式会社
申请日： 1986-03-07 - 公布日： 1989-01-25 - 主分类号： H01L29/72 文献下载
摘要：岛区16上所形成的双极晶体管的hFE值由发射极区20和第1基极区18的杂质浓度与基极宽度B所决定。因此用同一制造工艺扩散第1基极区18及发射极区20时，各晶体管的hFE值大致相等。本发明为调整晶体管的hFE值设置了第2基极区23。部分第2基极区23与发射极区20相重叠并做得比第1基极区18要深。这样，通过第2基极区23使基极宽度B′增大，可使hFE值变小。同时通过选择发射极区20与第2基极区23的重叠量使hFE的值进行变化。
半导体集成电路

[发明专利]碳化硅半导体装置及其制造方法-CN201480032021.X有效
发明人：竹内有一;铃木巨裕;森本淳;副岛成雅 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2014-05-28 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：碳化硅半导体装置具备纵型MOSFET，该纵型MOSFET具有包括高浓度杂质层(1)和漂移层(2)的半导体基板、基极区(3)、源极区(4)、沟槽栅构造、源极电极(9)和漏极电极(10)。所述基极区为：高浓度基极区(3a)以及与所述高浓度基极区相比第二导电型杂质浓度更低的低浓度基极区(3b)层叠。所述高浓度基极区以及所述低浓度基极区与所述沟槽的侧面相接。
基极区碳化硅半导体装置纵型高浓度杂质层半导体基板导电型杂质漏极电极源极电极沟槽栅漂移层源极区侧面制造

[发明专利]放大电路-CN200580040813.2无效
发明人：克里斯托夫·布拉姆伯格 -专利权人：爱特梅尔（德国）有限公司
申请日： 2005-12-22 - 公布日： 2007-10-31 - 主分类号： H03F1/22 文献下载
摘要：以垂直集成的共射－共基放大器(10)放大输入信号的放大电路，它具有：集电极(C)的集电极半导体区，第一基极(B1)的与该集电极半导体区交界的第一基极半导体区，第二基极(B2)的第二基极半导体区，不仅与该第一基极半导体区而且与该第二基极半导体区交界的中间基极半导体区，和发射极(E)的与该第二基极半导体区交界的发射极半导体区，其中，信号输入与该第二基极(B2)连接，和该第一基极(B1)不仅与独立于输入信号的电压源(Uret)而且与集电极(C)电耦合。
放大电路

[发明专利]双极性接面晶体管结构及其制造方法-CN202210944795.6在审
发明人：陈冠荣;林俊铭;李宗霖;林炫政;陈鸿霖 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-08 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：双极性接面晶体管结构包括一半导体基底、一集极区、一基极区、一射极区、一环状浅沟槽隔离区以及一基极介电层。集极区形成在半导体基底。基极区形成在集极区之上。射极区形成在基极区之上。环状浅沟槽隔离区形成在半导体基底。基极介电层形成在集极区之上并在基极区的相对侧。基极介电层被环状浅沟槽隔离区的一内侧壁所包围。
极性晶体管结构及其制造方法

[发明专利]一种耐二次击穿的功率双极晶体管-CN202110689498.7有效
发明人：牛崇实;林和;黄宏嘉;洪学天;张维忠 -专利权人：弘大芯源（深圳）半导体有限公司
申请日： 2021-06-22 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种耐二次击穿的功率双极晶体管，包括：集电极欧姆接触区设置在最底部，在集电极欧姆接触区上设置集电极P+区，在集电极P+区上设置集电极P‑区；在集电极P‑区上设置基极n区，在集电极P‑区与基极n区之间形成集电极‑基极p‑n结区；在基极n区内设置发射极区，在基极n区与发射极区之间形成发射极‑基极p‑n结区；在基极n区上设置介电薄膜，在介电薄膜上间隔设置基极欧姆接触区及发射极欧姆接触区；在基极n区内从左至右还包括基极‑集电极p‑n结区、附加掺杂集电极区。
一种二次击穿功率双极晶体管

[发明专利]半导体存储器件及其制造方法-CN97114051.0无效
发明人：牧幸生;本田裕己 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 1997-06-26 - 公布日： 2003-06-18 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：通过用杂质注入法形成一个从MOS晶体管的源/漏区连续延伸的基极区作为本征基极区，并在位线的接触孔处形成发射极区而形成双极晶体管。或者，通过用杂质注入法在位线的接触孔处形成本征基极区和发射极区而形成双极晶体管。本征基极区做得比源/漏区深。另外，使本征基极区的杂质不同于连接基极区的杂质。
半导体存储器件及其制造方法

[发明专利]发光和激光作用半导体装置和方法-CN201080004170.7无效
发明人：加布里埃尔·沃尔特;尼克·霍伦亚克;米尔顿·冯 -专利权人：伊利诺斯大学理事会;量子电镀光学系统有限公司
申请日： 2010-01-07 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：本发明揭示一种半导体发光装置，其包含：异质结双极型发光晶体管，其具有位于发射极区与集极区之间的基极区；发射极电极、基极电极和集极电极，其分别用于使电信号与所述发射极区、基极区和集极区耦合；以及位于所述基极区中的量子大小区；所述基极区包含位于所述量子大小区的发射极侧上的第一基极子区，和位于所述量子大小区的集极侧上的第二基极子区；且所述第一和第二基极子区具有不对称带结构。还揭示一种从两端半导体结构产生光发射的方法，其包含以下步骤：提供半导体结构，所述半导体结构包含位于第一导电类型的发射极区与同所述第一导电类型相反的第二导电类型的基极区之间的第一半导体结，和位于所述基极区与漏极区之间的第二半导体结；在所述基极区内提供展现量子大小效应的区；提供与所述发射极区耦合的发射极电极；提供与所述基极区和所述漏极区耦合的基极/漏极电极；以及相对于所述发射极电极和基极/漏极电极施加信号以从所述半导体结构获得光发射
光和激光作用半导体装置方法

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